1.材料与方法
1.1材料与仪器
电子元器件:采用“轩田”来样,从30个来样中抽检出2个来样作为本次实验的对象
1.2高光谱成像原理
1.3 DN值解释
DN值:是遥感影像像元亮度值,记录的地物的灰度值。无单位,是一个整数值,值大小与传感器的辐射分辨率、地物发射率、大气透过率和散射率等有关。2.实验测试
2.1实验目的
利用高光谱成像技术测量电子元器件的漏胶情况,从而以确保产品的质量和可靠性。2.2实验测试仪器列表
设备名称 | 型号 | 配置明细 | 备注 |
高光谱相机 | FS-17 | 光谱范围:900-1700nm;光谱分辨率:8nm | |
测试台架 | FS-826 | 测量平台10*15cm |
2.3实验内容
高光谱采集仪的光谱范围为900-1700 nm,光谱分辨率为8nm,共1024个波段。在实验中将电子元器件样本均匀的平铺放在外置推扫台架上进行图像采集,曝光时间为20 ms,镜头与样本之间的距离为32 cm。检测在元器件大孔周围和孔内芯片上胶水分布情况2.4实验结果
软件截图:
非监督聚类分析(1号样品大孔芯片内无漏胶,2号样品大孔内芯片有漏胶):
3.结论
本实验利用近红外高光谱相机FS-17,结合软件算法,基于光谱特征,采用非监督聚类分析。结果显示,1号样品大孔芯片内无漏胶,2号样品大孔内芯片有漏胶。从高光谱图像分析得到漏胶区域和非漏胶区域存在明显波形差异,结论:可以用来检测漏胶点。因此,近红外高光谱成像技术在电子元器件漏胶的应用领域具有很大潜力。